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英特尔芯片技术大突破:开发首个3D晶体管 Transistor技能搭配心得

NV50集成3亿晶体管,生产采用0.09微米工艺

人气:0引自:瑞鲁手机APP

今晨根据来自watch.impress.co.jp的报道分析,在图形芯片领域,R400和NV40集成的晶体管数量将达到2亿个左右,而未来的R500和NV50的晶体管数量则是恐怖的3亿个。报道中分析,明天上半年将是Pixel Shader3.0和Vexter Shader 3.0的时代,而且在2004年晚些时候将开始应用0.09微米工艺开始生产图形芯片。

目前0.13微米工艺还处在完善阶段,根据估计ATi很可能在半年以后开始应用“Low-K”技术,当然这也要看TSMC的努力。与处理器直接跨越到0.09微米工艺不同,图形芯片也可能在0.09微米工艺之前应用0.11微米工艺。0.11微米工艺技术将使得芯片面积缩小到原来的68%左右。比如说,35为1亿3000万个晶体,面积为200平方毫米,而采用0.11微米生产工艺的话,同样在200平方毫米上则可集成1亿8000万个晶体管。

R500和NV50集成的巨大晶体管数量则必须应该上0.09微米生产工艺,而且届时还将应用上SOI以及High-K等一些更为先进的技术。

(pcpop)

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引用标题:《英特尔芯片技术大突破:开发首个3D晶体管 Transistor技能搭配心得》
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