据HKEPC报道，韩国三星电子宣布其已经成功使用80nm工艺技术，制造出全球第一颗拥有高达2GBit容量的DDR 2内存颗粒。这项新的DRAM技术取得了很多突破性进展，包括3D晶体管技术，凹槽数组晶体管（RCAT），和新概念架构处理。出现于2003年的RCAT是三星公司一项独特的技术，它用于通过使用一种3D结构设计，来减少晶体管所占的体积。
据HKEPC报道，韩国三星电子宣布其已经成功使用80nm工艺技术，制造出全球第一颗拥有高达2GBit容量的DDR 2内存颗粒。这项新的DRAM技术取得了很多突破性进展，包括3D晶体管技术，凹槽数组晶体管（RCAT），和新概念架构处理。出现于2003年的RCAT是三星公司一项独特的技术，它用于通过使用一种3D结构设计，来减少晶体管所占的体积。